Investigadores de la BUAP y la Universidad de West Virginia, en Estados Unidos, teorizaron un fenómeno observado en un experimento con nanohilos de nitruro de galio, los cuales podrían ser usados para fabricar cualquier dispositivo electrónico.
Wilfredo Ibarra Hernández, investigador de la Facultad de Ingeniería de la BUAP, señaló que los encargados de este proyecto los contactaron porque, durante la experimentación con los nanohilos –materiales que son seis mil veces más delgados que un cabello humano–, “observaron una respuesta óptica que no pudieron explicar, la cual nosotros buscamos resolver mediante la teoría”.
Detalló que este experimento se basó en técnicas con las cuales se irradió luz al material para determinar la frecuencia de la vibración de los átomos al interaccionar con el haz, haciendo que la energía de los fotones se desplace hacia arriba o hacia abajo.
Sin embargo, la experimentación mostró una respuesta que correspondía a una interacción prohibida por la simetría del sistema, por lo que, mediante una hipótesis, explicó que esta particularidad necesita dos condiciones para que ese fenómeno, derivado de la interacción de los átomos con el haz de luz, pueda ser visible.
Nitruro de galio debe ser puro
Primero, el material (nitruro de galio) debe ser altamente puro, debido a que el método por el que se crecen los nanohilos provoca que estos se depuren, de modo que cualquier otro elemento que entre a la estructura será desechado.
La segunda condición tiene que ver con el hecho de que los isótopos de galio (Ga69 y Ga71) tengan una abundancia natural de casi 60-40, lo cual proporciona una diferencia en la masa, que juega un papel muy importante; además determinaron que este fenómeno podría ser visible en óxido de zinc (ZnO).
El también doctor en Ciencias, con especialidad en Materiales por la Universidad de Lieja, en Bélgica, expresó que de estar en lo correcto, esto permitiría que se trabaje más en el estudio de los otros materiales sobre los cuales se hicieron predicciones y se podría escalar hacia un vínculo más estrecho entre ciencia básica y tecnología, para aprovechar este fenómeno en el desarrollo de dispositivos.
El artículo que habla sobre dicho experimento y la aportación teórica de los investigadores tiene como título Isotopic Heft on the B1l Silent Mode in Ultra-Narrow Gallium Nitride Nanowires y fue publicado en Nano Letters, reconocida revista científica con un alto factor de impacto.
Editado por Diana Lizeth Pérez Morales
