Antonio Méndez Blas, investigador del Instituto de Física “Ing. Luis Rivera Terrazas” de la BUAP, desarrolló un método para obtener membranas de silicio poroso con características reproducibles, para buscar aumentar la capacidad de las computadoras.
De acuerdo con la Ley de Moore, cada dos años se duplica el número de transistores en un microprocesador y ello aumenta la exigencia de una mayor capacidad de procesamiento en los ordenadores.
Sin embargo, existen límites físicos que no permiten fabricar computadoras con capacidades que tiendan hacia el infinito. Es así como actualmente se promueve el desarrollo de tecnología basada en la manipulación de la luz como medio de transferencia de información, por ejemplo fibras y lectores ópticos.
Uno de los retos es la fabricación de materiales con capacidad de procesamiento basado en luz, tal es el caso del silicio poroso (SiP).
Para ello, Méndez Blas, señaló que sobre una oblea de silicio se realizan huecos de 10 a 50 nanómetros de diámetro; de ahí que se llame poroso. En este proceso se utiliza el grabado electroquímico, el cual consiste en un ataque con ácido fluorhídrico y corriente eléctrica para generar iones que perforan ciertas regiones del silicio cuando éste se sumerge en la solución.
En proceso de patente
Este proceso es controlable, porque sólo se activa cuando se pasa corriente eléctrica. Una vez terminado, se rescata la muestra porosa. La combinación del silicio que quedó con el aire o el material que se introduzca en los orificios le dará propiedades ópticas específicas.
Como parte de esta investigación, junto con Laura Elvira Serrano de la Rosa, egresada de la Maestría en Ciencias de Materiales del IFUAP, desarrolló un método sistemático para obtener membranas de silicio poroso con características reproducibles y específicas en el proceso de grabado electroquímico, para separar capas de silicio (o de múltiples capas) a partir de sustratos de silicio cristalino.
Como resultado de este trabajo existe una solicitud de registro de patente ante el Instituto Mexicano de la Propiedad Industrial (IMPI): “Método de desprendimiento de capas autosostenidas de silicio poroso”, número MX/A/2011/013393.
“El objetivo de la patente era lograr tener estas capas de silicio poroso en un sustrato que se pudiera manipular adecuadamente. Es un paso previo para buscarle aplicaciones más prácticas, ya que cuando se tiene el material recién crecido está en un sustrato totalmente opaco y sus propiedades ópticas se limitan”, indicó el académico.