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En la BUAP, investigadores desarrollan láseres nanométricos

En la BUAP, investigadores desarrollan láseres nanométricos. Foto: Especial

Investigadores de la BUAP trabajan en la creación de nuevos materiales para la industria de la electrónica, a fin de fabricar emisores de luz (láseres) de tamaño nanométricos y así aportar nuevos elementos en la construcción de procesadores ópticos.

Lo anterior, con el objetivo de sustituir eventualmente la tecnología electrónica actual usada en procesadores.

Antonio Méndez Blas y Estela Calixto, investigadores del Instituto de Física “Ing. Luis Rivera Terrazas” (Ifuap), descubrieron que el confinamiento a nivel nanométrico es posible en otros semiconductores e incluso en dieléctricos tras realizar investigaciones con silicio poroso (SIP).

Por tal motivo, diseñan nuevos procesos basados en la técnica de electrodepósito para desarrollar materiales que contribuyan a mejorar la tecnología electrónica actual y basarla en la fotónica, es decir, en la manipulación de la luz por medio de materiales de diseño.

Buscan mejorar propiedades ópticas

La investigación consiste en depositar sobre un sustrato rígido o flexible un material con propiedades ópticas, por medio de la técnica de electrodepósito que, una vez realizado, se procede a nanoestructurarlo.

Este proceso puede seguir dos vías: por un lado es posible realizar un ataque electroquímico que elimine parte del material y, por otro, puede utilizarse el mismo SIP como plantilla o “molde nanométrico” durante el depósito.

En cualquiera de las dos posibilidades, la idea es mejorar las propiedades ópticas del material, como son la de transmisión/reflexión o emisión de luz.

“En el caso de los semiconductores, el confinamiento a escala nanométrica se asocia a la sintonización del bangap electrónico, parámetro fundamental para aumentar la eficiencia de conversión de energía en las celdas solares, por citar un ejemplo”, precisó Méndez Blas.

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